存储芯片价格的全面上涨正在加重超大规模云计算厂商的资本开支压力,这一趋势可能对AI基础设施的投资产生重要影响。根据伯恩斯坦研究的最新报告,HBM(高带宽存储)价格预计在明年将上涨2至2.5倍,加上传统DRAM与NAND价格的攀升,超大规模云厂商在AI数据中心的资本开支或将增加约30%

这一成本传导的路径较为复杂。例如,以英伟达为例,其GPU产品中封装的HBM若希望维持75%的毛利率,成本的涨幅需转嫁给客户,这可能会加重云服务商的资金压力。伯恩斯坦认为,尽管面临压力,超大规模云厂商仍可能继续推动AI投资,但必须进行必要的“成本再平衡”,实力较弱的供应商可能在这一过程中受到挤压。

对于投资者来说,这一局势将直接影响市场预期:三星、SK海力士和美光预计其2027财年的每股盈利将显著上调,伯恩斯坦的预测比市场一致预期高出25%至40%,而纯NAND供应商铠侠则无缘此轮红利。

HBM价格上涨背后的原因

HBM价格上涨的主要原因在于其与传统DRAM之间盈利能力的差距正在扩大。根据伯恩斯坦的估算,自2025年第三季度至2026年第二季度,传统DRAM价格累计上涨约4.5倍,而HBM价格几乎未变。在2026年,传统DRAM的每晶圆收入和毛利将成为HBM的约两倍和近三倍。

三星在其2026年第一季度财报中表示,非HBM的DRAM利润率已超出HBM,且这一差距预计仍将扩大,这意味着HBM涨价似乎已经成为趋势。根据伯恩斯坦的预测,HBM明年的涨幅将达到2至2.5倍,远低于追平传统DRAM所需的3倍,这反映出供应商对HBM自身战略价值的认同。

成本放大效应与云厂商的应对

HBM涨价对于超大规模云厂商的影响将十分显著,主要不仅体现在直接采购成本的增加上。以英伟达的VR200机架为例,HBM占其售价的5%,若HBM价格上涨2至2.5倍,售价可能上涨约6%。假设英伟达为维持毛利率将成本上涨幅度放大4倍,售价或将提高约24%。

综合来看,如果仅考虑HBM的直接成本上涨,超大规模云厂商的数据中心资本开支将增加约4%;考虑英伟达的全额加价后,增幅将扩大至约15%。加上传统DRAM与NAND价格的大幅上涨,云厂商的AI资本开支预计总体需提高约30%。

面对资本开支的增量,云厂商必须重新评估AI投资的回报模型。伯恩斯坦指出,竞争压力与资金可得性有助于云厂商维持其投资步伐,但“成本再平衡”已不可避免,这可能涉及多方面的措施,如向供应链施压以分摊成本,以及对不同客户的计算服务费用进行调整。在这一过程中,实力较弱的供应商可能面临被挤压的风险,而一些强势公司则可能成为潜在的赢家。

未来展望

展望未来,HBM价格上涨尚未完全反映在当前市场预期中,这意味着即将出现显著的盈利上修。伯恩斯坦预计下调的价格预期将伴随传统DRAM和NAND价格的波动,可能会导致2027财年各大公司的盈利预测显著高于市场预期。对此,三星、SK海力士和美光的目标价都有可能上调。

文章来源:https://news.163.com/article/L026RITH05198NMR.html

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